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SFE-1型超臨(lin) 界二氧化碳清洗係統
一、概述:
超臨(lin) 界二氧化碳無損傷(shang) 清洗設備。應用此設備對矽片進行清洗的顆粒明顯減少,且平均粒徑小於(yu) 傳(chuan) 統清洗的粒徑。相對用等離子法清洗,該方法不會(hui) 對矽片造成損傷(shang) ,同時可減少工藝步驟,節省時間,提高工作效率。
超臨(lin) 界二氧化碳無損傷(shang) 清洗設備擁有良好的溫度和壓力控製係統,並配有遠程智能化操作係統,是一個(ge) 適合高校和科研機構的半導體(ti) 工藝平台。該設備有望解決(jue) 微電子行業(ye) 清洗工藝中的許多難題,例如刻蝕以及灰化後高縱深比結構清洗、刻蝕以及灰化後多孔低介電材料清洗、清洗後幹燥、半導體(ti) 器件金屬顆粒的清洗等
超臨(lin) 界超聲清洗目前應用領域很廣的是核電特種清洗、電子電路芯片的清洗以及精密機加工件的表麵和層隙清洗。
二、應用範圍:
在半導體(ti) 方麵,超臨(lin) 界二氧化碳清洗逐步代替刻蝕及灰化後產(chan) 生的高縱深比機構和成品芯片上的輔焊劑、金屬殘屑采用傳(chuan) 統的去離子水衝(chong) 洗、酸蝕浸泡清洗、清洗劑清洗;
在新能源電動汽車製造方麵,超臨(lin) 界二氧化碳清洗正被應用於(yu) 對車輪轂層析片微隙間的清洗油汙、微粒作業(ye) ;
在精密工件以及鈾屑方麵,超臨(lin) 界二氧化碳清洗的優(you) 勢得到很大的發揮,其具有的清洗物分離簡單,收集方便,表麵無需處理、環保節能被發揮得*;
三、SFE-1型超臨(lin) 界二氧化碳清洗係統主要技術參數:
主
要
性
能
指
標
序號
項目名稱
性能參數
1
工作壓力
≤50MPa
2
工作溫度
室溫~90℃
3
清洗釜
1L/35MPa
4
清洗工裝
塔式鎖緊結構 2-24片
5
回收釜
2×0.6L/30MPa
6
製冷係統
4470kcal/h 溫控範圍:-5℃~﹢5℃ 風冷
7
二氧化碳儲(chu) 罐
2L/16MPa
8
二氧化碳泵
50L/h 50MPa 三柱塞變頻可調
9
電源
AC380V 50Hz 三相五線 9kW
設備優(you) 勢
1、清洗工裝采用塔式結構,並設置均布係統,保證每片樣品都與(yu) 高速清洗流體(ti) 接觸;
※注:清洗釜體(ti) 結構以及工裝結構均以實際樣品為(wei) 依據設計、配置。
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